K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16HA-107AAT:E Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646D-BYH9 par Samsung Electronics et MT41K256M16HA-107AAT:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ ActifMicron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16HA-107AAT:E |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $2,30 | $5,95 |
| Density | 4 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Débit de données | 1333 Mbps | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35V |
| Température de fonctionnement | 0 ~ 85 °C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Boîtier | 96FBGA | 96-FBGA (9x14mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| Latence CAS | Programmable | 13 (typical) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Sans halogène | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Type de mémoire | — | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Interface | — | Parallel |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |