K4B4G1646D-BYH9 vs MT41K256M16HA-107AAT:E Vergleich
Detaillierter Direktvergleich von K4B4G1646D-BYH9 von Samsung Electronics und MT41K256M16HA-107AAT:E von Micron Technology. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.
Samsung Electronics
K4B4G1646D-BYH9 - 4Gb DDR3L SDRAM 256Mx16 1333Mbps | Samsung
K4B4G1646D-BYH9 ✓ AktivMicron Technology
MT41K256M16HA-107AAT:E - 4Gbit DDR3L SDRAM | Micron
MT41K256M16HA-107AAT:E ✓ AktivSpezifikationsvergleich
| Parameter | K4B4G1646D-BYH9 | MT41K256M16HA-107AAT:E |
|---|---|---|
| Marke | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Kategorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Lebenszyklusstatus | Aktiv | Aktiv |
| Lagerstatus | In Stock | In Stock |
| Stückpreis (USD) | $2,30 | $5,95 |
| Density | 4 Gb | — |
| Speicherorganisation | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Datenrate | 1333 Mbps | 933 MHz (DDR3L-1866) |
| Versorgungsspannung | 1.35 V | 1.35V |
| Betriebstemperatur | 0 ~ 85 °C | 0°C to +95°C (Tc) |
| Gehäuse | 96FBGA | 96-FBGA (9x14mm) |
| Number of Banks | 8 | — |
| CAS-Latenz | Programmable | 13 (typical) |
| Write Latency | Programmable | — |
| On-Die Termination | Yes | Yes |
| Internal Calibration | Yes | — |
| Lead-Free | Yes | — |
| Halogenfrei | Yes | — |
| RoHS Compliant | Yes | — |
| Die Version | D-die | — |
| Speichertyp | — | DDR3L SDRAM |
| Speichergröße | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Access Time | — | 20 ns |
| Schnittstelle | — | Parallel |
| Montageart | — | Surface Mount |
| RoHS-Status | — | Compliant |
| Burst Length | — | 8, 4 |
| Refresh | — | Auto-refresh, self-refresh |