K4B4G1646E-BYK0 vs K4B4G1646D-BFMA Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYK0 por Samsung Electronics y K4B4G1646D-BFMA por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYK0 | K4B4G1646D-BFMA |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,80 | $6,50 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3 SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) | 1.5V |
| Velocidad de datos | DDR3-1600 (800 MHz) | 1866 Mbps |
| Encapsulado | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) | 96-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C (TC) | — |
| Latencia CAS | 11 (CL-tRCD-tRP) | Programmable |
| Burst Length | 8 (fixed), 4 (burst chop) | 8 and 4 (with burst chop) |
| On-Die Termination | Yes (dynamic ODT) | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Ball Pitch | — | 0.8mm |
| Number of Banks | — | 8 |
| Temperature Range | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |