K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-H9I Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics y H5TC4G63CFR-H9I por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63CFR-H9I |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,32 | $7,20 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (11, 12, 13) |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| Número de pines | 96 | — |
| I/O Voltage | — | 1.35 V |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Memory Width | — | 16 bits |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |