K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-H9I Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMA par Samsung Electronics et H5TC4G63CFR-H9I par SK hynix. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63CFR-H9I |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | SK hynix |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $14,32 | $7,20 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tension d'alimentation | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | 1.35 V |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Débit de données | 1866 Mbps/pin | 1866 Mbps (PC3-14900) |
| Température de fonctionnement | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Boîtier | FBGA-96 | 96-ball TFBGA |
| Type de montage | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Latence CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | Programmable (11, 12, 13) |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 |
| Nombre de broches | 96 | — |
| I/O Voltage | — | 1.35 V |
| Temperature Grade | — | Industrial (-40°C to +95°C) |
| Number of Terminals | — | 96 |
| Memory Width | — | 16 bits |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sans halogène | — | Yes |
| RoHS Compliant | — | Yes |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh Modes | — | Auto-refresh, Self-refresh |