K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-XXJ Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMA por Samsung Electronics y H5TC4G63CFR-xxJ por SK hynix. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63CFR-xxJ |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | SK hynix |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $14,32 | $5,90 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Tensión de alimentación | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps/pin | — |
| Temperatura de funcionamiento | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| Encapsulado | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| Latencia CAS | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency options] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 (with burst chop) |
| Número de pines | 96 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK#) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS#) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM Mask | — | Yes |
| Rango de temperatura de funcionamiento | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| Sin halógenos | — | Yes |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |