K4B4G1646E-BYMA vs H5TC4G63CFR-XXJ 比較
詳細な並列比較: K4B4G1646E-BYMA メーカー: Samsung Electronics および H5TC4G63CFR-xxJ メーカー: SK hynix。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。
仕様比較
| パラメータ | K4B4G1646E-BYMA | H5TC4G63CFR-xxJ |
|---|---|---|
| ブランド | Samsung Electronics | SK hynix |
| カテゴリ | Memory ICs | Memory ICs |
| ライフサイクル状態 | 有効 | 有効 |
| 在庫状況 | In Stock | In Stock |
| 単価（USD） | $14.32 | $5.90 |
| メモリタイプ | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Density | 4 Gb | 4 Gb |
| メモリ構成 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| 電源電圧 | 1.35 V (1.28 V to 1.575 V) | — |
| Clock Frequency | 933 MHz | — |
| データレート | 1866 Mbps/pin | — |
| 動作温度 | 0°C to +95°C | — |
| Operating Current | 14 mA | — |
| Standby Current | 2 mA, 3 mA | — |
| パッケージ | FBGA-96 | 96-ball FBGA |
| 実装タイプ | Surface Mount | — |
| RoHS | Compliant | Compliant |
| CASレイテンシ | [DATA_NEEDED: CAS Latency] | [DATA_NEEDED: CAS latency options] |
| Burst Length | [DATA_NEEDED: Burst Length] | 8 and 4 (with burst chop) |
| ピン数 | 96 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | — | 1.35V + 0.100 / - 0.067V |
| Clock Input | — | Fully differential (CK, CK#) |
| Data Strobe | — | Differential (DQS, DQS#) |
| On-Chip DLL | — | Yes |
| DM Mask | — | Yes |
| 動作温度範囲 | — | 0°C to 95°C (case) |
| Lead-Free | — | Yes |
| ハロゲンフリー | — | Yes |
| Speed Grade | — | [DATA_NEEDED: speed grade for -xxJ suffix] |
| On-Die Termination | — | Yes |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |