K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYK0 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646E-BYMATCV por Samsung Electronics y K4B4G1646E-BYK0 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $5,90 | $1,80 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Tensión de alimentación | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Encapsulado | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Número de pines | 96 | — |
| Rango de temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Latencia CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Estado RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organización de memoria | — | 256M x 16 |
| Temperatura de funcionamiento | — | 0°C to +95°C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |