K4B4G1646E-BYMATCV vs K4B4G1646E-BYK0 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4B4G1646E-BYMATCV par Samsung Electronics et K4B4G1646E-BYK0 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K4B4G1646E-BYMATCV - 4Gb DDR3L SDRAM 96-FBGA | Samsung
K4B4G1646E-BYMATCV ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4B4G1646E-BYMATCV | K4B4G1646E-BYK0 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $5,90 | $1,80 |
| Type de mémoire | DDR3L SDRAM | DDR3L SDRAM |
| Taille de mémoire | 4 Gbit (256M x 16) | — |
| Débit de données | 1866 Mbps | DDR3-1600 (800 MHz) |
| Tension d'alimentation | 1.35 V | 1.35 V (1.283 V to 1.45 V) |
| I/O Voltage (VDDQ) | 1.35 V | — |
| Boîtier | 96-ball FBGA | 96-ball FBGA (13 x 9 mm, 0.8 mm pitch) |
| Nombre de broches | 96 | — |
| Plage de température de fonctionnement | -40°C to +95°C | — |
| Number of Banks | 8 | — |
| Burst Length | 8 (with burst chop 4) | 8 (fixed), 4 (burst chop) |
| Latence CAS | Programmable (e.g., 13, 12, 11) | 11 (CL-tRCD-tRP) |
| On-Die Termination (ODT) | Yes | — |
| Auto Precharge | Yes | Yes |
| Self-Refresh | Yes | Yes |
| Statut RoHS | Compliant | — |
| Density | — | 4 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 256M x 16 |
| Température de fonctionnement | — | 0°C to +95°C (TC) |
| On-Die Termination | — | Yes (dynamic ODT) |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Data Mask | — | Yes |
| RoHS | — | Compliant |