K4B4G1646F-BYMA vs MT41K256M16HA-125 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4B4G1646F-BYMA por Samsung Electronics y MT41K256M16HA-125 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4B4G1646F-BYMA | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $6,30 | $6,36 |
| Tipo de memoria | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) | — |
| Velocidad de datos | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| Temperatura de funcionamiento | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Latencia CAS | CL=13 (at 1.35V) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| Interfaz | 16-bit I/O | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| Sin halógenos | Yes | — |
| Tamaño de memoria | — | 4Gbit (256M x 16) |
| Ancho del bus de datos | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| Tensión de alimentación | — | 1.35 V |
| Número de pines | — | 96 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |