K4B4G1646F-BYMA vs MT41K256M16HA-125 비교
다음의 상세 나란히 비교: K4B4G1646F-BYMA 제조: Samsung Electronics 및 MT41K256M16HA-125 제조: Micron Technology. 주요 사양, 전기적 파라미터, 패키징, 수명 주기 상태, 가격 및 재고를 비교하여 설계 요구 사항에 가장 적합한 부품을 결정하십시오.
사양 비교
| 파라미터 | K4B4G1646F-BYMA | MT41K256M16HA-125 |
|---|---|---|
| 브랜드 | Samsung Electronics | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 활성 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $6.30 | $6.36 |
| 메모리 유형 | DDR3L SDRAM | SDRAM - DDR3L |
| Density | 4 Gb | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | — |
| Supply Voltage (VDD/VDDQ) | 1.35V (1.28V~1.45V) & 1.5V (1.425V~1.575V) | — |
| 데이터 속도 | 1866 Mbps (PC3-14900) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (Lead-Free & Halogen-Free) | 96-FBGA (9x14 mm) |
| 동작 온도 | -40°C to +95°C | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| CAS 레이턴시 | CL=13 (at 1.35V) | 11 |
| Burst Length | 8, 4 (with burst chop) | — |
| 인터페이스 | 16-bit I/O | — |
| Auto Precharge | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Dynamic On-Chip Termination | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Data Mask | Yes | — |
| RoHS | Compliant | — |
| 할로겐 프리 | Yes | — |
| 메모리 크기 | — | 4Gbit (256M x 16) |
| 데이터 버스 폭 | — | 16 bit |
| Clock Frequency | — | 800 MHz |
| Access Time | — | 13.75 ns |
| 공급 전압 | — | 1.35 V |
| 핀 수 | — | 96 |
| 실장 유형 | — | Surface Mount |
| RoHS 상태 | — | Compliant |
| Lead-Free | — | Yes |
| Logic Family | — | CMOS |
| Refresh Interval | — | 7.8 us at 85C |