K4RAH086VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK Comparación

Comparación detallada lado a lado de K4RAH086VB-BCQK por Samsung Electronics y K4RAH165VB-BCQK por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ Activo
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K4RAH086VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $41,02 $0,00
Tipo de memoria DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Organización de memoria 2G x 8 —
Velocidad de datos 4800 Mbps (DDR5-4800) 4800 Mbps
Clock Frequency 2400 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Interfaz Parallel —
Encapsulado FBGA-82 106-ball FBGA
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Temperatura de funcionamiento 0C to 95C (commercial) 0C to +85C
ECC On-die ECC —
Burst Length BL32 (DDR5 standard) —
Memory Format DRAM (volatile) DRAM (volatile)
DLL Mode DLL Enabled (datasheet timing basis) —
Product Status Active —
Packaging Tray Tray
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Tamaño de memoria — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Error Correction — On-die ECC
Características — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Estado del ciclo de vida — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

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