K4RAH086VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK Vergleich

Detaillierter Direktvergleich von K4RAH086VB-BCQK von Samsung Electronics und K4RAH165VB-BCQK von Samsung Electronics. Vergleichen Sie die wichtigsten Spezifikationen, elektrischen Parameter, Gehäuse, Lebenszyklusstatus, Preise und Verfügbarkeit, um das beste Bauteil für Ihre Designanforderungen zu ermitteln.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ Aktiv
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Aktiv

Spezifikationsvergleich

Parameter K4RAH086VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK
Marke Samsung Electronics Samsung Electronics
Kategorie Memory ICs Memory ICs
Lebenszyklusstatus Aktiv Aktiv
Lagerstatus In Stock In Stock
Stückpreis (USD) $41,02 $0,00
Speichertyp DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Speicherorganisation 2G x 8 —
Datenrate 4800 Mbps (DDR5-4800) 4800 Mbps
Clock Frequency 2400 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Schnittstelle Parallel —
Gehäuse FBGA-82 106-ball FBGA
Montageart Surface Mount Surface Mount
Betriebstemperatur 0C to 95C (commercial) 0C to +85C
ECC On-die ECC —
Burst Length BL32 (DDR5 standard) —
Memory Format DRAM (volatile) DRAM (volatile)
DLL Mode DLL Enabled (datasheet timing basis) —
Product Status Active —
Packaging Tray Tray
RoHS-Status [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Speichergröße — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Error Correction — On-die ECC
Eigenschaften — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Lebenszyklusstatus — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Datenblätter & Ressourcen

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