K4RAH086VB-BCQK vs K4RAH165VB-BCQK Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH086VB-BCQK par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCQK par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K4RAH086VB-BCQK K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK - DDR5 SDRAM 16Gb 4800Mbps | Samsung

K4RAH086VB-BCQK ✓ Actif
Samsung Electronics
K4RAH165VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK - 16Gb DDR5 SDRAM 4800Mbps 1.1V | Samsung

K4RAH165VB-BCQK ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre K4RAH086VB-BCQK K4RAH165VB-BCQK
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $41,02 $0,00
Type de mémoire DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM
Density 16 Gb —
Organisation de la mémoire 2G x 8 —
Débit de données 4800 Mbps (DDR5-4800) 4800 Mbps
Clock Frequency 2400 MHz —
Supply Voltage (VDD) 1.1 V 1.1 V
Interface Parallel —
Boîtier FBGA-82 106-ball FBGA
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Température de fonctionnement 0C to 95C (commercial) 0C to +85C
ECC On-die ECC —
Burst Length BL32 (DDR5 standard) —
Memory Format DRAM (volatile) DRAM (volatile)
DLL Mode DLL Enabled (datasheet timing basis) —
Product Status Active —
Packaging Tray Tray
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] [DATA_NEEDED: RoHS status]
Taille de mémoire — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Error Correction — On-die ECC
Caractéristiques — Auto self-refresh, asynchronous reset, on-chip ECC, write leveling, CRC, ZQ calibration
Statut du cycle de vie — Active
Unit Price — [DATA_NEEDED: unit price]

Fiches techniques et ressources

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