K4RAH165VB-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH165VB-BCWM por Samsung Electronics y PDRQL8KCBF12-00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH165VB-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $9,92 | $18,00 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Technology | DDR5 | — |
| Encapsulado | FBGA-106 | FBGA |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Estado RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organización de memoria | — | 2G x 8 |
| Velocidad de datos | — | 7200 MT/s |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Interfaz | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |