K4RAH165VB-BCWM vs PDRQL8KCBF12-00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics et PDRQL8KCBF12-00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BCWM | PDRQL8KCBF12-00 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $9,92 | $18,00 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) | DDR5 SDRAM |
| Taille de mémoire | 16 Gb | — |
| Memory Organization | 1G x 16 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Tension d'alimentation | 1.1 V | 1.1 V |
| Technology | DDR5 | — |
| Boîtier | FBGA-106 | FBGA |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Température de fonctionnement | 0C to +85C | [DATA_NEEDED: Operating temperature range] |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | up to 7200 Mbps | — |
| On-die ECC | Yes | Yes |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| Statut RoHS | Compliant | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] | — |
| Packaging | Tray | — |
| Density | — | 16 Gb |
| Organisation de la mémoire | — | 2G x 8 |
| Débit de données | — | 7200 MT/s |
| Burst Length | — | 16 (BL16), burst chop 8 (BC8) |
| Refresh | — | Auto-refresh and self-refresh |
| Interface | — | Pseudo-differential DQ |
| Process Technology | — | 10nm-class |
| Lead-Free | — | Yes |