K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH165VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH165VB-BIQK por Samsung Electronics y K4RAH165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Comparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH165VB-BIQK | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $9,92 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gb | — |
| Organización de memoria | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 4800 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| Encapsulado | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | FBGA-106 |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Marca | Samsung Semiconductor | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Tensión de alimentación | — | 1.1 V |
| Technology | — | DDR5 |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Estado RoHS | — | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |