K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH165VB-BCWM Сравнение
Подробное сравнение бок о бок K4RAH165VB-BIQK от Samsung Electronics и K4RAH165VB-BCWM от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Сравнение характеристик
| Параметр | K4RAH165VB-BIQK | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Бренд | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Категория | Memory ICs | Memory ICs |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $9,92 |
| Тип памяти | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gb | — |
| Организация памяти | 1G x 16 | — |
| Скорость передачи данных | 4800 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| Корпус | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | FBGA-106 |
| Рабочая температура | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Бренд | Samsung Semiconductor | — |
| Размер памяти | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Напряжение питания | — | 1.1 V |
| Technology | — | DDR5 |
| Тип монтажа | — | Surface Mount |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Статус RoHS | — | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |