K4RAH165VB-BIQK vs K4RAH165VB-BCWM Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BIQK par Samsung Electronics et K4RAH165VB-BCWM par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Comparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BIQK | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $9,92 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 16 Gb | — |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | — |
| Débit de données | 4800 Mbps (MT/s) | — |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | Yes |
| Asynchronous Reset | Yes | Yes |
| Write Leveling | Yes | Yes |
| CRC Function | Yes | Yes |
| ZQ Calibration | Yes | Yes |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | FBGA-106 |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | 0C to +85C |
| Marque | Samsung Semiconductor | — |
| Taille de mémoire | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Tension d'alimentation | — | 1.1 V |
| Technology | — | DDR5 |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Statut RoHS | — | Compliant |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |