K4RAH165VB-BIQK vs PDRQLAKCDF12-00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RAH165VB-BIQK por Samsung Electronics y PDRQLAKCDF12-00 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RAH165VB-BIQK | PDRQLAKCDF12-00 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $13,60 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organización de memoria | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Velocidad de datos | 4800 Mbps (MT/s) | 7200 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| Encapsulado | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | 102-ball FBGA |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Marca | Samsung Semiconductor | — |
| Speed Bin | — | DDR5-7200 |
| Operating Voltage | — | 1.1 V |
| Tipo de montaje | — | Surface Mount |
| Generation | — | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) |
| Interfaz | — | JEDEC DDR5 |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |
| tCK / Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: clock cycle time] |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Estado RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Nivel MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |