K4RAH165VB-BIQK vs PDRQLAKCDF12-00 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K4RAH165VB-BIQK par Samsung Electronics et PDRQLAKCDF12-00 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 - 16Gb DDR5-7200 SDRAM | Samsung Electronics
PDRQLAKCDF12-00 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K4RAH165VB-BIQK | PDRQLAKCDF12-00 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | Memory ICs | Memory ICs |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $0,00 | $13,60 |
| Type de mémoire | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM |
| Density | 16 Gb | 16 Gbit |
| Organisation de la mémoire | 1G x 16 | 1G x 16 |
| Débit de données | 4800 Mbps (MT/s) | 7200 Mbps per pin |
| Supply Voltage (VDD) | 1.1 V | — |
| On-Die ECC | Yes | — |
| Auto Self-Refresh | Yes | — |
| Asynchronous Reset | Yes | — |
| Write Leveling | Yes | — |
| CRC Function | Yes | — |
| ZQ Calibration | Yes | — |
| DLL Enabled Mode | Yes (spec mode per datasheet) | — |
| Boîtier | [DATA_NEEDED: exact package ball count / FBGA designation] | 102-ball FBGA |
| Température de fonctionnement | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Marque | Samsung Semiconductor | — |
| Speed Bin | — | DDR5-7200 |
| Operating Voltage | — | 1.1 V |
| Type de montage | — | Surface Mount |
| Generation | — | DDR5 (improved from 6400 Mbps generation) |
| Interface | — | JEDEC DDR5 |
| Package Height | — | [DATA_NEEDED: package height] |
| tCK / Cycle Time | — | [DATA_NEEDED: clock cycle time] |
| Latence CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency] |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Statut RoHS | — | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Niveau MSL | — | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] |