K4RHE165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCWM Comparación
Comparación detallada lado a lado de K4RHE165VB-BCWM por Samsung Electronics y K4RAH165VB-BCWM por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung
K4RHE165VB-BCWM ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K4RHE165VB-BCWM | K4RAH165VB-BCWM |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $0,00 | $9,92 |
| Tipo de memoria | DDR5 SDRAM | DDR5 SDRAM (volatile DRAM) |
| Density | 24 Gb (3 GB) | — |
| Organización de memoria | 1G x 16 | — |
| Velocidad de datos | 5600 Mbps | — |
| Tensión de alimentación | 1.1 V | 1.1 V |
| Encapsulado | 106 FBGA | FBGA-106 |
| Tipo de montaje | Surface Mount (BGA) | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | 0 to 85 C | 0C to +85C |
| Product Status | Mass Production | — |
| Interfaz | DDR5 (parallel, DDR) | — |
| Access Type | Synchronous | — |
| Clock Rate (nominal) | 2800 MHz (5600 MT/s DDR) | — |
| Ball Count | 106 | — |
| Estado RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS Status] | Compliant |
| Nivel MSL | [DATA_NEEDED: MSL Level] | — |
| Standard Pack Quantity | [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] | — |
| Tamaño de memoria | — | 16 Gb |
| Memory Organization | — | 1G x 16 |
| Memory Interface | — | Parallel |
| Technology | — | DDR5 |
| Maximum Data Rate (DDR5 family) | — | up to 7200 Mbps |
| On-die ECC | — | Yes |
| Auto Self-Refresh | — | Yes |
| Asynchronous Reset | — | Yes |
| Write Leveling | — | Yes |
| CRC Function | — | Yes |
| ZQ Calibration | — | Yes |
| Speed Grade (suffix BCWM) | — | [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency] |
| Packaging | — | Tray |