K4RHE165VB-BCWM vs K4RAH165VB-BCWM 比較

詳細な並列比較: K4RHE165VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics および K4RAH165VB-BCWM メーカー: Samsung Electronics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

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K4RHE165VB-BCWM K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM - 24Gb DDR5 SDRAM 5600Mbps 1.1V | Samsung

K4RHE165VB-BCWM ✓ 生産中
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K4RAH165VB-BCWM K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM - 16Gb DDR5 SDRAM 1.1V FBGA | Samsung

K4RAH165VB-BCWM ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K4RHE165VB-BCWM K4RAH165VB-BCWM
ブランド Samsung Electronics Samsung Electronics
カテゴリ Memory ICs Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $0.00 $9.92
メモリタイプ DDR5 SDRAM DDR5 SDRAM (volatile DRAM)
Density 24 Gb (3 GB) —
メモリ構成 1G x 16 —
データレート 5600 Mbps —
電源電圧 1.1 V 1.1 V
パッケージ 106 FBGA FBGA-106
実装タイプ Surface Mount (BGA) Surface Mount
動作温度 0 to 85 C 0C to +85C
Product Status Mass Production —
インターフェース DDR5 (parallel, DDR) —
Access Type Synchronous —
Clock Rate (nominal) 2800 MHz (5600 MT/s DDR) —
Ball Count 106 —
RoHS ステータス [DATA_NEEDED: RoHS Status] Compliant
MSLレベル [DATA_NEEDED: MSL Level] —
Standard Pack Quantity [DATA_NEEDED: Standard Pack Quantity] —
メモリサイズ — 16 Gb
Memory Organization — 1G x 16
Memory Interface — Parallel
Technology — DDR5
Maximum Data Rate (DDR5 family) — up to 7200 Mbps
On-die ECC — Yes
Auto Self-Refresh — Yes
Asynchronous Reset — Yes
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes
ZQ Calibration — Yes
Speed Grade (suffix BCWM) — [DATA_NEEDED: speed grade / CAS latency]
Packaging — Tray

データシート&リソース

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