K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55T00 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K6X0808C1D-BF55 por Samsung Electronics y K6X0808C1D-GF55T00 por Samsung Electro-Mechanics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung
K6X0808C1D-BF55 ✓ ActivoSamsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung
K6X0808C1D-GF55T00 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K6X0808C1D-BF55 | K6X0808C1D-GF55T00 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electro-Mechanics |
| Categoría | DRAM | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,85 | $1,05 |
| Tipo de memoria | Asynchronous SRAM | SRAM - Asynchronous |
| Tamaño de memoria | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Organización de memoria | 32K x 8 | 32K x 8 |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Interfaz | Parallel | Parallel |
| Tensión de alimentación | 5 V | [DATA_NEEDED: supply voltage range] |
| Technology | CMOS | CMOS |
| Encapsulado | 28-SOP | 28-SOP (450 mil) |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range] | [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade] |
| Standby Current | [DATA_NEEDED: standby current] | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | [DATA_NEEDED: operating current] | [DATA_NEEDED: operating current] |
| Control Signals | CE, OE, WE | — |
| Memory Format | SRAM | — |
| Clock Frequency | N/A (asynchronous) | N/A (asynchronous) |
| Refresh | Not required (static memory) | — |
| Estado RoHS | unknown | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Data Retention | — | Low data retention voltage supported |
| Packaging Variant | — | Tape & Reel (T00 suffix) |