K6X0808C1D-BF55 vs K6X0808C1D-GF55T00 比較

詳細な並列比較: K6X0808C1D-BF55 メーカー: Samsung Electronics および K6X0808C1D-GF55T00 メーカー: Samsung Electro-Mechanics。主要仕様、電気的特性、パッケージ、ライフサイクルステータス、価格、在庫状況を比較して、設計要件に最適な部品を判断してください。

Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 - 256Kbit 5V Asynchronous SRAM 55ns | Samsung

K6X0808C1D-BF55 ✓ 生産中
Samsung Electro-Mechanics
K6X0808C1D-GF55T00 K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 - 32Kx8 SRAM 55ns 28-SOP | Samsung

K6X0808C1D-GF55T00 ✓ 生産中

仕様比較

パラメータ K6X0808C1D-BF55 K6X0808C1D-GF55T00
ブランド Samsung Electronics Samsung Electro-Mechanics
カテゴリ DRAM Memory ICs
ライフサイクル状態 有効 有効
在庫状況 In Stock In Stock
単価(USD) $1.85 $1.05
メモリタイプ Asynchronous SRAM SRAM - Asynchronous
メモリサイズ 256 Kbit 256 Kbit
メモリ構成 32K x 8 32K x 8
Access Time 55 ns 55 ns
インターフェース Parallel Parallel
電源電圧 5 V [DATA_NEEDED: supply voltage range]
Technology CMOS CMOS
パッケージ 28-SOP 28-SOP (450 mil)
実装タイプ Surface Mount Surface Mount
動作温度 [DATA_NEEDED: operating temperature range] [DATA_NEEDED: operating temperature range for GF grade]
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] [DATA_NEEDED: standby current]
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] [DATA_NEEDED: operating current]
Control Signals CE, OE, WE —
Memory Format SRAM —
Clock Frequency N/A (asynchronous) N/A (asynchronous)
Refresh Not required (static memory) —
RoHS ステータス unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Data Retention — Low data retention voltage supported
Packaging Variant — Tape & Reel (T00 suffix)

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