K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF70000 Comparación
Comparación detallada lado a lado de K6X0808C1D-BF70T por Samsung Electronics y K6X0808C1D-GF70000 por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ ActivoComparación de especificaciones
| Parámetro | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-GF70000 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoría | DRAM | DRAM |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Activo |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $1,05 | $1,10 |
| Tipo de memoria | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Tamaño de memoria | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Temperatura de funcionamiento | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulado | 28-SOP | 28-SOP |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | 15 bit (A0-A14) |
| Ancho del bus de datos | 8 bit (I/O0-I/O7) | 8 bit (tri-state I/O) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| Estado RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Organización de memoria | — | 32K x 8 bit |
| Interfaz | — | Parallel |
| Supply Voltage - Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage - Max | — | 5.5 V |
| Technology | — | Low Power CMOS |
| Input/Output Levels | — | TTL compatible |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |