K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF70000 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de K6X0808C1D-BF70T por Samsung Electronics e K6X0808C1D-GF70000 por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-GF70000 |
|---|---|---|
| Marca | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Categoria | DRAM | DRAM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $1,05 | $1,10 |
| Tipo de memória | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Tamanho da memória | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Temperatura de operação | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Encapsulamento | 28-SOP | 28-SOP |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | 15 bit (A0-A14) |
| Largura do barramento de dados | 8 bit (I/O0-I/O7) | 8 bit (tri-state I/O) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| Status RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Organização da memória | — | 32K x 8 bit |
| Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage - Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage - Max | — | 5.5 V |
| Technology | — | Low Power CMOS |
| Input/Output Levels | — | TTL compatible |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |