K6X0808C1D-BF70T vs K6X0808C1D-GF70000 Comparaison
Comparaison détaillée côte à côte de K6X0808C1D-BF70T par Samsung Electronics et K6X0808C1D-GF70000 par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.
Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF70000 - 256Kbit 5V SRAM 70ns | Samsung | 28-SOP
K6X0808C1D-GF70000 ✓ ActifComparaison des spécifications
| Paramètre | K6X0808C1D-BF70T | K6X0808C1D-GF70000 |
|---|---|---|
| Marque | Samsung Electronics | Samsung Electronics |
| Catégorie | DRAM | DRAM |
| Statut du cycle de vie | Actif | Actif |
| Statut du stock | In Stock | In Stock |
| Prix unitaire (USD) | $1,05 | $1,10 |
| Type de mémoire | SRAM - Asynchronous | SRAM - Asynchronous |
| Taille de mémoire | 256 Kbit | 256 Kbit |
| Memory Organization | 32K x 8 | — |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Access Time | 70 ns | 70 ns |
| Write Cycle Time - Word, Page | 70 ns | — |
| Voltage - Supply | 4.5 V to 5.5 V | — |
| Température de fonctionnement | -40C to +85C (TA) | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Boîtier | 28-SOP | 28-SOP |
| Type de montage | Surface Mount | Surface Mount |
| Process Technology | CMOS | — |
| Address Bus Width | 15 bit (A0-A14) | 15 bit (A0-A14) |
| Largeur du bus de données | 8 bit (I/O0-I/O7) | 8 bit (tri-state I/O) |
| Control Signals | CE, OE, WE | CE, OE, WE |
| I/O Compatibility | TTL compatible | — |
| Refresh Requirement | None (fully static operation) | — |
| Statut RoHS | Compliant | [DATA_NEEDED: RoHS status] |
| Organisation de la mémoire | — | 32K x 8 bit |
| Interface | — | Parallel |
| Supply Voltage - Min | — | 4.5 V |
| Supply Voltage - Max | — | 5.5 V |
| Technology | — | Low Power CMOS |
| Input/Output Levels | — | TTL compatible |
| Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Operating Current | — | [DATA_NEEDED: operating current] |