K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-BF70T Comparación

Comparación detallada lado a lado de K6X0808C1D-GF55000 por Samsung Electronics y K6X0808C1D-BF70T por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

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K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 ✓ Activo
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K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-BF70T
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs DRAM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $3,20 $1,05
Tipo de memoria SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Tamaño de memoria 256 Kbit 256 Kbit
Organización de memoria 32K x 8 —
Access Time 55 ns 70 ns
Interfaz Parallel —
Tensión de alimentación 5 V —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Encapsulado 28-SOP 28-SOP
Temperatura de funcionamiento [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C (TA)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Write Cycle Time [DATA_NEEDED: write cycle time] —
Tipo de salida Three-state, common data I/O —
Control Signals CE, OE, WE (active low) CE, OE, WE
Memory Format Volatile, no refresh required —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Technology Low-power CMOS —
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
Ancho del bus de datos — 8 bit (I/O0-I/O7)
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

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