K6X0808C1D-GF55000 vs K6X0808C1D-BF70T Сравнение

Подробное сравнение бок о бок K6X0808C1D-GF55000 от Samsung Electronics и K6X0808C1D-BF70T от Samsung Electronics. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.

Samsung Electronics
K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 - 32Kx8 Async SRAM 55ns | Samsung Semiconductor

K6X0808C1D-GF55000 ✓ Активен
Samsung Electronics
K6X0808C1D-BF70T K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T - 32Kx8 70ns Async SRAM 5V | Samsung

K6X0808C1D-BF70T ✓ Активен

Сравнение характеристик

Параметр K6X0808C1D-GF55000 K6X0808C1D-BF70T
Бренд Samsung Electronics Samsung Electronics
Категория Memory ICs DRAM
Статус жизненного цикла Активен Активен
Наличие In Stock In Stock
Цена за единицу (USD) $3,20 $1,05
Тип памяти SRAM - Asynchronous SRAM - Asynchronous
Размер памяти 256 Kbit 256 Kbit
Организация памяти 32K x 8 —
Access Time 55 ns 70 ns
Интерфейс Parallel —
Напряжение питания 5 V —
Тип монтажа Surface Mount Surface Mount
Корпус 28-SOP 28-SOP
Рабочая температура [DATA_NEEDED: operating temperature range] -40C to +85C (TA)
Standby Current [DATA_NEEDED: standby current] —
Operating Current [DATA_NEEDED: operating current] —
Write Cycle Time [DATA_NEEDED: write cycle time] —
Тип выхода Three-state, common data I/O —
Control Signals CE, OE, WE (active low) CE, OE, WE
Memory Format Volatile, no refresh required —
Статус RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Technology Low-power CMOS —
Memory Organization — 32K x 8
Memory Interface — Parallel
Write Cycle Time - Word, Page — 70 ns
Voltage - Supply — 4.5 V to 5.5 V
Process Technology — CMOS
Address Bus Width — 15 bit (A0-A14)
Разрядность шины данных — 8 bit (I/O0-I/O7)
I/O Compatibility — TTL compatible
Refresh Requirement — None (fully static operation)

Даташиты & ресурсы

Все товары Создать BOM Запросить цену