K9F2808Q0B vs K9F6408Q0C Comparación

Comparación detallada lado a lado de K9F2808Q0B por Samsung Electronics y K9F6408Q0C por Samsung Electronics. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Samsung Electronics
K9F2808Q0B K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B ✗ Fin de vida
Samsung Electronics
K9F6408Q0C K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro K9F2808Q0B K9F6408Q0C
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Fin de vida Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $1,31
Tipo de memoria SLC NAND Flash (parallel) NAND Flash (SLC)
Density 128 Mbit —
Organización de memoria 16M x 8 8M x 8
Operating Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V 1.65 V to 1.95 V
Read Access Speed 50 ns —
Cell Type SLC (1 bit/cell) —
Interfaz 8-bit multiplexed address/data Parallel, 8-bit multiplexed I/O
Encapsulado 63-pin TBGA —
Temperature Grade C (commercial), I (industrial) C (commercial), i (industrial)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: page size] 528 bytes (512 data + 16 spare)
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Typical Read Current (Icc1) [DATA_NEEDED: Icc1] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Estado RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Production Status Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete —
Memory Capacity — 64 Mbit (8 M x 8 bit main + 256 K x 8 bit spare)
Access Time — 10 us (read cycle, family listing)
Package (HIB0 variant) — 48-ball TBGA
Package (family TBGA note) — 9 mm x 11 mm 63-ball changed to 6 mm x 8.5 mm 48-ball
Spare Area — 256K x 8 bit
Control Signals — CLE, ALE, CE, WE, RE, WP, R/B
Bad Block Management — Host-managed (marking in spare area)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Temperatura de funcionamiento — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Nivel MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Hojas de datos y recursos

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