K9F2808Q0B vs K9F6408Q0C Comparação

Comparação detalhada lado a lado de K9F2808Q0B por Samsung Electronics e K9F6408Q0C por Samsung Electronics. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

Samsung Electronics
K9F2808Q0B K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B ✗ Fim de vida
Samsung Electronics
K9F6408Q0C K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C Obsolete

Comparação de especificações

Parâmetro K9F2808Q0B K9F6408Q0C
Marca Samsung Electronics Samsung Electronics
Categoria Memory ICs Memory ICs
Status do ciclo de vida Fim de vida Obsolete
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $0,00 $1,31
Tipo de memória SLC NAND Flash (parallel) NAND Flash (SLC)
Density 128 Mbit —
Organização da memória 16M x 8 8M x 8
Operating Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V 1.65 V to 1.95 V
Read Access Speed 50 ns —
Cell Type SLC (1 bit/cell) —
Interface 8-bit multiplexed address/data Parallel, 8-bit multiplexed I/O
Encapsulamento 63-pin TBGA —
Temperature Grade C (commercial), I (industrial) C (commercial), i (industrial)
Tipo de montagem Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: page size] 528 bytes (512 data + 16 spare)
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Typical Read Current (Icc1) [DATA_NEEDED: Icc1] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Status RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Production Status Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete —
Memory Capacity — 64 Mbit (8 M x 8 bit main + 256 K x 8 bit spare)
Access Time — 10 us (read cycle, family listing)
Package (HIB0 variant) — 48-ball TBGA
Package (family TBGA note) — 9 mm x 11 mm 63-ball changed to 6 mm x 8.5 mm 48-ball
Spare Area — 256K x 8 bit
Control Signals — CLE, ALE, CE, WE, RE, WP, R/B
Bad Block Management — Host-managed (marking in spare area)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Temperatura de operação — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Nível MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fichas técnicas e recursos

Ver todos os produtos Criar BOM Solicitar cotação