K9F2808Q0B vs K9F6408Q0C Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de K9F2808Q0B par Samsung Electronics et K9F6408Q0C par Samsung Electronics. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Samsung Electronics
K9F2808Q0B K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B - 128Mb SLC NAND Flash 1.8V 63-TBGA | Samsung

K9F2808Q0B ✗ Fin de vie
Samsung Electronics
K9F6408Q0C K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C - 64Mb 8M x8 NAND Flash 1.8V | Samsung Electronics

K9F6408Q0C Obsolete

Comparaison des spécifications

Paramètre K9F2808Q0B K9F6408Q0C
Marque Samsung Electronics Samsung Electronics
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Fin de vie Obsolete
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $1,31
Type de mémoire SLC NAND Flash (parallel) NAND Flash (SLC)
Density 128 Mbit —
Organisation de la mémoire 16M x 8 8M x 8
Operating Voltage (VCC) 1.7 V to 1.95 V 1.65 V to 1.95 V
Read Access Speed 50 ns —
Cell Type SLC (1 bit/cell) —
Interface 8-bit multiplexed address/data Parallel, 8-bit multiplexed I/O
Boîtier 63-pin TBGA —
Temperature Grade C (commercial), I (industrial) C (commercial), i (industrial)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Page Size [DATA_NEEDED: page size] 528 bytes (512 data + 16 spare)
Block Size [DATA_NEEDED: block size] —
Typical Read Current (Icc1) [DATA_NEEDED: Icc1] —
Program/Erase Endurance [DATA_NEEDED: endurance cycles] —
Statut RoHS unknown [DATA_NEEDED: RoHS status]
Production Status Mass production (per legacy datasheet); now EOL/obsolete —
Memory Capacity — 64 Mbit (8 M x 8 bit main + 256 K x 8 bit spare)
Access Time — 10 us (read cycle, family listing)
Package (HIB0 variant) — 48-ball TBGA
Package (family TBGA note) — 9 mm x 11 mm 63-ball changed to 6 mm x 8.5 mm 48-ball
Spare Area — 256K x 8 bit
Control Signals — CLE, ALE, CE, WE, RE, WP, R/B
Bad Block Management — Host-managed (marking in spare area)
Endurance — [DATA_NEEDED: program/erase cycles]
Température de fonctionnement — [DATA_NEEDED: operating temperature range]
Niveau MSL — [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level]

Fiches techniques et ressources

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