M29F160FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F160FT55N3F2 por Micron Technology y M29F400FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F160FT55N3F2 M29F400FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Flash EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,90 $1,51
Tipo de memoria NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash (SLC)
Density 16 Mbit (16777 kbits) —
Organización de memoria 1M x 16 / 2M x 8 256K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
Interfaz Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Encapsulado 48-Pin TSOP 44-SO (SOP-44)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Tamaño de memoria — 4 Mbit
Tensión de alimentación — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

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