M29F160FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Comparação
Comparação detalhada lado a lado de M29F160FT55N3F2 por Micron Technology e M29F400FT55N3F2 por Micron Technology. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.
Micron Technology
M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology
M29F160FT55N3F2 ✓ AtivoMicron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ AtivoComparação de especificações
| Parâmetro | M29F160FT55N3F2 | M29F400FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoria | Flash | EEPROM |
| Status do ciclo de vida | Ativo | Ativo |
| Status do estoque | In Stock | In Stock |
| Preço unitário (USD) | $4,90 | $1,51 |
| Tipo de memória | NOR Flash (Parallel, Asynchronous) | NOR Flash (SLC) |
| Density | 16 Mbit (16777 kbits) | — |
| Organização da memória | 1M x 16 / 2M x 8 | 256K x 16 |
| Number of Words | 1000 k | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V (operating 4.5 V) | — |
| Interface | Parallel | Parallel |
| Synchronous / Asynchronous | Asynchronous | — |
| Boot Block Location | Top boot block (FT) | — |
| Temperatura de operação | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: min operating temperature] |
| Encapsulamento | 48-Pin TSOP | 44-SO (SOP-44) |
| Tipo de montagem | Surface Mount | Surface Mount |
| Packaging | Tape & Reel | — |
| Program / Erase | Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) | — |
| Status RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Nível MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Tamanho da memória | — | 4 Mbit |
| Tensão de alimentação | — | 5 V |
| Block Architecture | — | Top boot block |
| Temperature Grade | — | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) |
| Compliance Suffix | — | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) |
| Programming Voltage | — | Single supply (no 12 V VPP required) |
| Technology | — | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase |
| Max Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |