M29F160FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F160FT55N3F2 par Micron Technology et M29F400FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F160FT55N3F2 M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 - 16Mbit 5V 55ns NOR Flash | Micron Technology

M29F160FT55N3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F160FT55N3F2 M29F400FT55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Flash EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $4,90 $1,51
Type de mémoire NOR Flash (Parallel, Asynchronous) NOR Flash (SLC)
Density 16 Mbit (16777 kbits) —
Organisation de la mémoire 1M x 16 / 2M x 8 256K x 16
Number of Words 1000 k —
Bits per Word 16 bits —
Access Time 55 ns 55 ns
Supply Voltage (VCC) 5 V (operating 4.5 V) —
Interface Parallel Parallel
Synchronous / Asynchronous Asynchronous —
Boot Block Location Top boot block (FT) —
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Boîtier 48-Pin TSOP 44-SO (SOP-44)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Packaging Tape & Reel —
Program / Erase Embedded byte/word program algorithms (controller on-chip) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Taille de mémoire — 4 Mbit
Tension d'alimentation — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Fiches techniques et ressources

Parcourir tous les produits Créer un BOM Demander un devis