M29F200FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29F200FT55N3F2 por Micron Technology y M29F400FT55N3F2 por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Activo
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29F200FT55N3F2 M29F400FT55N3F2
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs EEPROM
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $1,51
Tipo de memoria NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Density 2 Mbit (2097 kbits) —
Organización de memoria 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 256K x 16
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K —
Bits per Word 16 bits —
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Encapsulado 48-pin TSOP 44-SO (SOP-44)
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Interfaz Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Tamaño de memoria — 4 Mbit
Tensión de alimentación — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

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