M29F200FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de M29F200FT55N3F2 par Micron Technology et M29F400FT55N3F2 par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
M29F200FT55N3F2 M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 - 2Mbit 55ns 5V NOR Flash | Micron

M29F200FT55N3F2 ✓ Actif
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron

M29F400FT55N3F2 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre M29F200FT55N3F2 M29F400FT55N3F2
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs EEPROM
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $0,00 $1,51
Type de mémoire NOR Flash, Parallel NOR Flash (SLC)
Density 2 Mbit (2097 kbits) —
Organisation de la mémoire 256K x 8-bit / 128K x 16-bit 256K x 16
Supply Voltage (VCC) 5 V —
Access Time 55 ns 55 ns
Number of Words 128 K —
Bits per Word 16 bits —
Boot Block Architecture Top Boot Block —
Program/Erase Embedded byte/word program algorithms —
Température de fonctionnement -40C to +125C [DATA_NEEDED: min operating temperature]
Boîtier 48-pin TSOP 44-SO (SOP-44)
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Interface Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus Parallel
Packaging Tape & Reel (TR suffix) —
Statut RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] —
Niveau MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Taille de mémoire — 4 Mbit
Tension d'alimentation — 5 V
Block Architecture — Top boot block
Temperature Grade — Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code)
Compliance Suffix — F2 (RoHS-compliant, lead-free plating)
Programming Voltage — Single supply (no 12 V VPP required)
Technology — Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase
Max Standby Current — [DATA_NEEDED: standby current]
Program/Erase Endurance — [DATA_NEEDED: endurance cycles]

Fiches techniques et ressources

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