M29F200FT55N3F2 vs M29F400FT55N3F2 Сравнение
Подробное сравнение бок о бок M29F200FT55N3F2 от Micron Technology и M29F400FT55N3F2 от Micron Technology. Сравните ключевые характеристики, электрические параметры, упаковку, статус жизненного цикла, цены и наличие, чтобы выбрать лучший компонент для ваших требований.
Micron Technology
M29F400FT55N3F2 - 4Mbit 5V Parallel NOR Flash 55ns | Micron
M29F400FT55N3F2 ✓ АктивенСравнение характеристик
| Параметр | M29F200FT55N3F2 | M29F400FT55N3F2 |
|---|---|---|
| Бренд | Micron Technology | Micron Technology |
| Категория | Memory ICs | EEPROM |
| Статус жизненного цикла | Активен | Активен |
| Наличие | In Stock | In Stock |
| Цена за единицу (USD) | $0,00 | $1,51 |
| Тип памяти | NOR Flash, Parallel | NOR Flash (SLC) |
| Density | 2 Mbit (2097 kbits) | — |
| Организация памяти | 256K x 8-bit / 128K x 16-bit | 256K x 16 |
| Supply Voltage (VCC) | 5 V | — |
| Access Time | 55 ns | 55 ns |
| Number of Words | 128 K | — |
| Bits per Word | 16 bits | — |
| Boot Block Architecture | Top Boot Block | — |
| Program/Erase | Embedded byte/word program algorithms | — |
| Рабочая температура | -40C to +125C | [DATA_NEEDED: min operating temperature] |
| Корпус | 48-pin TSOP | 44-SO (SOP-44) |
| Тип монтажа | Surface Mount | Surface Mount |
| Интерфейс | Parallel, BYTE pin selects 8/16-bit bus | Parallel |
| Packaging | Tape & Reel (TR suffix) | — |
| Статус RoHS | [DATA_NEEDED: RoHS status] | — |
| Уровень MSL | [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] | — |
| Размер памяти | — | 4 Mbit |
| Напряжение питания | — | 5 V |
| Block Architecture | — | Top boot block |
| Temperature Grade | — | Auto Grade 3, up to +125C (per Micron ordering code) |
| Compliance Suffix | — | F2 (RoHS-compliant, lead-free plating) |
| Programming Voltage | — | Single supply (no 12 V VPP required) |
| Technology | — | Floating-gate NOR cell, charge-pump program/erase |
| Max Standby Current | — | [DATA_NEEDED: standby current] |
| Program/Erase Endurance | — | [DATA_NEEDED: endurance cycles] |