M29W400FB55N3E vs M29W320DB70N3E Comparación

Comparación detallada lado a lado de M29W400FB55N3E por Micron Technology y M29W320DB70N3E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
M29W400FB55N3E M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E - 4Mb NOR Flash 55ns TSOP-48 | Micron Technology

M29W400FB55N3E ✓ Activo
Micron Technology
M29W320DB70N3E M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E - 32Mbit 70ns NOR Flash 48-TSOP | Micron

M29W320DB70N3E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro M29W400FB55N3E M29W320DB70N3E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría EEPROM Flash
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $0,00 $1,95
Tipo de memoria NOR Flash (parallel) NOR Flash
Density 4 Mbit (4194 kbits) 32 Mbit (33554 kbits)
Organización de memoria 512K x 8 bit / 256K x 16 bit 2M x 16
Access Time 55 ns 70 ns
Supply Voltage (VCC) 2.7 V to 3.6 V 2.7 V to 3.6 V
Interfaz Parallel, 8-bit/16-bit (BYTE# selectable) Parallel
Block Architecture 19 memory blocks, 1 boot block (bottom, FB) Non-uniform parameter blocks, boot block (bottom boot, DB type)
Programming Time 10 us per byte/word typical —
Boot Block Hardware Protection Yes —
Temperatura de funcionamiento -40C to +125C -40C to +125C
Encapsulado 48-TSOP I, 12 x 20 mm 48-TSOP I
Pins 48 —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Packaging Tray —
Estado RoHS Compliant ROHS3 Compliant
Speed Grades in Family 55 ns, 70 ns —
Number of Words — 2000 k
Bits per Word — 16 bits
VPP Fast Program Voltage — 12 V (optional)
Programming Mode — Single VCC program/erase; automatic program/erase with status polling
Power-Up Mode — Read mode (default)

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