MC8641DVJ1333JE vs MC8641VU1500KE Comparación

Comparación detallada lado a lado de MC8641DVJ1333JE por NXP Semiconductors y MC8641VU1500KE por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MC8641DVJ1333JE MC8641DVJ1333JE - Dual e600 SoC, 2x1333 MHz, Rev 3 | NXP Semiconductors

MC8641DVJ1333JE - Dual e600 SoC, 2x1333 MHz, Rev 3 | NXP Semiconductors

MC8641DVJ1333JE ⚠ Última compra
NXP Semiconductors
MC8641VU1500KE MC8641VU1500KE - PowerPC e600 MPU, 1.5GHz, 994-FCCBGA | NXP

MC8641VU1500KE - PowerPC e600 MPU, 1.5GHz, 994-FCCBGA | NXP

MC8641VU1500KE Obsolete

Comparación de especificaciones

Parámetro MC8641DVJ1333JE MC8641VU1500KE
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Microcontrollers Microcontrollers
Estado del ciclo de vida Última compra Obsolete
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $660,00 $195,00
Core Architecture PowerPC e600 (dual-core) —
Number of Cores 2 1
Core Frequency 1333 MHz —
Ancho del bus de datos 32-bit 32-bit
SIMD Extensions AltiVec —
Memory Controller DDR1/DDR2 with ECC —
Ethernet 2x 10/100/1000 (Gigabit) MACs 4 x 10/100/1000 Mbps MAC
PCI Express Yes Dual x4 PCIe endpoints
Serial RapidIO (SRIO) Yes —
Temperatura de funcionamiento 0°C to +105°C 0°C to +105°C
Encapsulado 1023-FCCBGA (33x33 mm) 994-FCCBGA (33x33 mm), ceramic flip-chip
Tipo de montaje Surface Mount —
Silicon Revision Rev 3 —
Nivel MSL [DATA_NEEDED: moisture sensitivity level] —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS compliance status] RoHS compliant (ceramic BGA)
Core Processor — PowerPC e600
Maximum Core Frequency — 1.5 GHz
Supply Voltage (Core) — 1.05 V
Supply Voltage (I/O) — 1.1 V / 1.8 V / 2.5 V / 3.3 V
RAM Controllers — DDR1, DDR2 (with ECC)
Serial RapidIO — Yes
AltiVec SIMD Engine — Yes (128-bit)
Cryptographic Acceleration — AES, DES/3DES, RSA, ECC
Recuento de pines — 1023 (effective BGA balls)
Process Technology — 90 nm CMOS

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