MP3H6115A6T1 vs MP3H6115A6U Comparación

Comparación detallada lado a lado de MP3H6115A6T1 por NXP Semiconductors y MP3H6115A6U por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MP3H6115A6T1 MP3H6115A6T1 - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP

MP3H6115A6T1 - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP

MP3H6115A6T1 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MP3H6115A6U MP3H6115A6U - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP

MP3H6115A6U - 15-115 kPa Absolute Pressure Sensor | NXP

MP3H6115A6U ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MP3H6115A6T1 MP3H6115A6U
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría Pressure Sensors Pressure Sensors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $4,10 $4,85
Pressure Type Absolute —
Operating Pressure Range 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI) —
Tipo de salida Analog voltage, ratiometric Analog, ratiometric
Rango de tensión de salida 0.12 V to 2.8 V (at Vdd = 3.0 V) 0.12 V to 2.8 V
Tensión de alimentación 3.0 V typical 3 V
Corriente de alimentación [DATA_NEEDED: supply current typical mA] —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Compensated Temperature Range -40 C to +125 C —
Pressure Port Male - 0.13 inch (3.3 mm) tube Male - 0.13 inch (3.3 mm) tube
Encapsulado 8-SOIC (0.295 inch, 7.50 mm width) 8-SOIC (SOP-8), 0.295 inch / 7.50 mm body width
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Sensor Technology MEMS piezo-resistive with on-chip bipolar op-amp —
On-Chip Signal Conditioning Yes (amplifier + temperature compensation + thin-film resistor network) —
Output Type Detail Ratiometric to Vdd —
Estado RoHS [DATA_NEEDED: RoHS status] Compliant
Tipo de sensor — Absolute pressure sensor
Pressure Range — 15 kPa to 115 kPa (2.18 PSI to 16.68 PSI)
Operating Pressure — 15 kPa ~ 115 kPa
Accuracy — High accuracy at high temperature (per datasheet)
Temperature Compensation — -40 C to +125 C
Technology — Piezoresistive (MEMS) with bipolar signal conditioning
Signal Conditioning — On-chip bipolar op-amp and thin-film resistor network
Output Ratiometric — Yes (output proportional to VDD)
Temperatura de funcionamiento — -40 C to +125 C
Package Material — Durable thermoplastic (PPS) surface-mount package

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