MPX2010GP vs MPX2102GP Comparación

Comparación detallada lado a lado de MPX2010GP por STMicroelectronics y MPX2102GP por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MPX2102GP MPX2102GP - 100kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPX2102GP - 100kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPX2102GP ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MPX2010GP MPX2102GP
Marca STMicroelectronics NXP Semiconductors
Categoría Pressure Sensors Pressure Sensors
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $7,20 $5,40
Pressure Type Vented Gauge Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) 0 kPa to 100 kPa (0 PSI to 14.5 PSI)
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] —
Sensitivity (Full-Scale Span) 25 mV typical at 10 V excitation —
Rango de tensión de salida 0 mV to 25 mV (10 V supply) 0 mV to 40 mV
Offset (Zero Pressure) 0 mV nominal —
Supply Voltage (Excitation) 10 V DC typical (max per datasheet) —
Corriente de alimentación 6 mA DC typical —
Response Time 1 ms typical —
Linearity [DATA_NEEDED: linearity %FS] 1.0 % maximum
Temperature Compensation On-chip, calibrated —
Rango de temperatura de funcionamiento -40 C to +125 C —
Storage Temperature Range -40 C to +125 C —
Port Style Male, 0.19 inch (4.93 mm) tube, vented gauge —
Encapsulado / Carcasa 4-SIP Module (Case 344B-01) —
Tipo de montaje Through-Hole (SIP) Through-Hole SIP
Media Compatibility Dry gases (silicone gel isolation) —
Estado RoHS Compliant Compliant
Maximum Overpressure — [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating]
Full-Scale Output (VoutFS) — 40 mV at 10 V excitation
Excitation Voltage — 10 V typical (DC)
Sensitivity — 0.4 mV/kPa nominal
Pressure Port — Male 0.19 in (4.93 mm) tube
Temperatura de funcionamiento — 0 C to +85 C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Temperature Compensation Range — 0 C to +85 C (on-chip)
Encapsulado — 4-SIP Module (Unibody GP)
Sensor Technology — Silicon piezoresistive, monolithic diaphragm
Offset (null) — 0 mV to 1 mV typical

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