MPX2010GP vs MPX2102GP Comparação

Comparação detalhada lado a lado de MPX2010GP por STMicroelectronics e MPX2102GP por NXP Semiconductors. Compare especificações principais, parâmetros elétricos, encapsulamento, status do ciclo de vida, preços e disponibilidade para determinar o melhor componente para os requisitos do seu projeto.

NXP Semiconductors
MPX2102GP MPX2102GP - 100kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPX2102GP - 100kPa Vented Gauge Pressure Sensor | NXP

MPX2102GP ✓ Ativo

Comparação de especificações

Parâmetro MPX2010GP MPX2102GP
Marca STMicroelectronics NXP Semiconductors
Categoria Pressure Sensors Pressure Sensors
Status do ciclo de vida Ativo Ativo
Status do estoque In Stock In Stock
Preço unitário (USD) $7,20 $5,40
Pressure Type Vented Gauge Vented Gauge
Operating Pressure Range 0 kPa to 10 kPa (0 to 1.45 PSI) 0 kPa to 100 kPa (0 PSI to 14.5 PSI)
Maximum Overload Pressure [DATA_NEEDED: maximum overload pressure] —
Sensitivity (Full-Scale Span) 25 mV typical at 10 V excitation —
Faixa de tensão de saída 0 mV to 25 mV (10 V supply) 0 mV to 40 mV
Offset (Zero Pressure) 0 mV nominal —
Supply Voltage (Excitation) 10 V DC typical (max per datasheet) —
Corrente de alimentação 6 mA DC typical —
Response Time 1 ms typical —
Linearity [DATA_NEEDED: linearity %FS] 1.0 % maximum
Temperature Compensation On-chip, calibrated —
Faixa de temperatura de operação -40 C to +125 C —
Storage Temperature Range -40 C to +125 C —
Port Style Male, 0.19 inch (4.93 mm) tube, vented gauge —
Encapsulamento / Caixa 4-SIP Module (Case 344B-01) —
Tipo de montagem Through-Hole (SIP) Through-Hole SIP
Media Compatibility Dry gases (silicone gel isolation) —
Status RoHS Compliant Compliant
Maximum Overpressure — [DATA_NEEDED: maximum overpressure rating]
Full-Scale Output (VoutFS) — 40 mV at 10 V excitation
Excitation Voltage — 10 V typical (DC)
Sensitivity — 0.4 mV/kPa nominal
Pressure Port — Male 0.19 in (4.93 mm) tube
Temperatura de operação — 0 C to +85 C
Storage Temperature — [DATA_NEEDED: storage temperature range]
Temperature Compensation Range — 0 C to +85 C (on-chip)
Encapsulamento — 4-SIP Module (Unibody GP)
Sensor Technology — Silicon piezoresistive, monolithic diaphragm
Offset (null) — 0 mV to 1 mV typical

Fichas técnicas e recursos

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