MRF8S21200HSR6 vs MRF8S21200HR6 Comparación

Comparación detallada lado a lado de MRF8S21200HSR6 por NXP Semiconductors y MRF8S21200HR6 por NXP Semiconductors. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

NXP Semiconductors
MRF8S21200HSR6 MRF8S21200HSR6 - 48W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF8S21200HSR6 - 48W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF8S21200HSR6 ✓ Activo
NXP Semiconductors
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HR6 - 48W RF Power LDMOS MOSFET | NXP | LTE Base Station

MRF8S21200HR6 - 48W RF Power LDMOS MOSFET | NXP | LTE Base Station

MRF8S21200HR6 ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MRF8S21200HSR6 MRF8S21200HR6
Marca NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Categoría MOSFETs MOSFETs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $96,75 $62,00
Tipo de transistor LDMOS, Dual N-Channel, Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS (Dual), N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Band 2110 MHz to 2170 MHz —
Output Power (Avg, W-CDMA/LTE) 48 W at 28 V —
Power Gain 18.1 dB 18.1 dB
Test Voltage 28 V 28 V
Test Current (Quiescent) 1.4 A —
Minimum Breakdown Voltage (Drain-Source) 65 V —
Maximum Junction Temperature 225 C —
Mounting Configuration Surface Mount (NI-1230HS ceramic package) —
Application Class Class AB, Class C (cellular base station modulation) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Number of Elements / Configuration Dual, Common Source, 2 Elements —
Lead Free Status Lead Free —
Technology Silicon LDMOS (lateral double-diffused MOSFET) —
Target Modulation W-CDMA, LTE, TD-LTE —
Frequency — 2.11 GHz to 2.17 GHz (2110-2170 MHz)
Test Current — 1.4 A
Output Power (Average) — 48 W
Drain-Source Voltage (Max) — 65 V
Configuration — Common Source, 2 elements
Case Connection — Source
Tipo de montaje — Surface Mount (NI-1230 ceramic flange)
Encapsulado — NI-1230
Application — W-CDMA, LTE base station power amplifiers
Class of Operation — Class AB, Class C
Surface Mount — Yes
Estado RoHS — Compliant

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