MRF8S21200HSR6 vs MRF8S21200HR6 Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MRF8S21200HSR6 par NXP Semiconductors et MRF8S21200HR6 par NXP Semiconductors. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

NXP Semiconductors
MRF8S21200HSR6 MRF8S21200HSR6 - 48W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF8S21200HSR6 - 48W RF Power LDMOS, 2110-2170 MHz | NXP

MRF8S21200HSR6 ✓ Actif
NXP Semiconductors
MRF8S21200HR6 MRF8S21200HR6 - 48W RF Power LDMOS MOSFET | NXP | LTE Base Station

MRF8S21200HR6 - 48W RF Power LDMOS MOSFET | NXP | LTE Base Station

MRF8S21200HR6 ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MRF8S21200HSR6 MRF8S21200HR6
Marque NXP Semiconductors NXP Semiconductors
Catégorie MOSFETs MOSFETs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $96,75 $62,00
Type de transistor LDMOS, Dual N-Channel, Enhancement-Mode Lateral MOSFET LDMOS (Dual), N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
Frequency Band 2110 MHz to 2170 MHz —
Output Power (Avg, W-CDMA/LTE) 48 W at 28 V —
Power Gain 18.1 dB 18.1 dB
Test Voltage 28 V 28 V
Test Current (Quiescent) 1.4 A —
Minimum Breakdown Voltage (Drain-Source) 65 V —
Maximum Junction Temperature 225 C —
Mounting Configuration Surface Mount (NI-1230HS ceramic package) —
Application Class Class AB, Class C (cellular base station modulation) —
Peak Reflow Temperature 260 C —
Number of Elements / Configuration Dual, Common Source, 2 Elements —
Lead Free Status Lead Free —
Technology Silicon LDMOS (lateral double-diffused MOSFET) —
Target Modulation W-CDMA, LTE, TD-LTE —
Frequency — 2.11 GHz to 2.17 GHz (2110-2170 MHz)
Test Current — 1.4 A
Output Power (Average) — 48 W
Drain-Source Voltage (Max) — 65 V
Configuration — Common Source, 2 elements
Case Connection — Source
Type de montage — Surface Mount (NI-1230 ceramic flange)
Boîtier — NI-1230
Application — W-CDMA, LTE base station power amplifiers
Class of Operation — Class AB, Class C
Surface Mount — Yes
Statut RoHS — Compliant

Fiches techniques et ressources

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