MT40A256M16GE-075E:B vs MT40A256M16GE-083E Comparación
Comparación detallada lado a lado de MT40A256M16GE-075E:B por Micron Technology y MT40A256M16GE-083E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.
Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ ActivoMicron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ Fin de vidaComparación de especificaciones
| Parámetro | MT40A256M16GE-075E:B | MT40A256M16GE-083E |
|---|---|---|
| Marca | Micron Technology | Micron Technology |
| Categoría | Memory ICs | Memory ICs |
| Estado del ciclo de vida | Activo | Fin de vida |
| Estado del stock | In Stock | In Stock |
| Precio unitario (USD) | $3,95 | $2,20 |
| Tipo de memoria | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| Tamaño de memoria | 4 Gbit | — |
| Organización de memoria | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| Velocidad de datos | 2666 MT/s (DDR4-2666) | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| Encapsulado | 96-FBGA (9 x 14 mm) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| Tipo de montaje | Surface Mount | Surface Mount |
| Temperatura de funcionamiento | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| Tensión de alimentación | — | 1.2 V |
| Interfaz | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| ECCN | — | EAR99 |
| Country of Origin | — | China |
| Sin halógenos | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |
| Introduction Date | — | August 2017 |
| Lifecycle | — | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) |
| Latencia CAS | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |