MT40A256M16GE-075E:B vs MT40A256M16GE-083E 비교
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Micron Technology
MT40A256M16GE-075E:B - 4Gb DDR4 SDRAM 2666 MT/s | Micron
MT40A256M16GE-075E:B ✓ 활성Micron Technology
MT40A256M16GE-083E - DDR4 4Gb 256Mx16 2400MHz DRAM | Micron
MT40A256M16GE-083E ✗ 단종사양 비교
| 파라미터 | MT40A256M16GE-075E:B | MT40A256M16GE-083E |
|---|---|---|
| 브랜드 | Micron Technology | Micron Technology |
| 카테고리 | Memory ICs | Memory ICs |
| 수명 주기 상태 | 활성 | 수명 종료 |
| 재고 상태 | In Stock | In Stock |
| 단가 (USD) | $3.95 | $2.20 |
| 메모리 유형 | DDR4 SDRAM | DDR4 SDRAM |
| 메모리 크기 | 4 Gbit | — |
| 메모리 구성 | 256M x 16 | 256M x 16 |
| Memory Interface | Parallel | — |
| Clock Frequency | 1.33 GHz | 1200 MHz (DDR4-2400) |
| 데이터 속도 | 2666 MT/s (DDR4-2666) | — |
| VDD / VDDQ | 1.2 V +/-60 mV | — |
| VPP | 2.5 V, -125 mV/+250 mV | — |
| Internal Banks | 16 | — |
| Refresh | 64 ms / 8192-cycle; 32 ms / 8192-cycle at 95C | [DATA_NEEDED: refresh rate] |
| I/O Type | 1.2 V pseudo open-drain | — |
| VREFDQ | On-die, internal, adjustable generation | — |
| Special Features | Temperature controlled refresh (TCR) | — |
| 패키지 | 96-FBGA (9 x 14 mm) | 96-ball FBGA, 9 x 14 mm |
| 실장 유형 | Surface Mount | Surface Mount |
| 동작 온도 | [DATA_NEEDED: operating temperature range for standard grade] | [DATA_NEEDED: operating temperature range] |
| Access Time | [DATA_NEEDED: CAS latency / access time] | — |
| Density | — | 4 Gbit |
| 공급 전압 | — | 1.2 V |
| 인터페이스 | — | Parallel |
| Technology | — | CMOS DRAM |
| ECCN | — | EAR99 |
| Country of Origin | — | China |
| 할로겐 프리 | — | Compliant |
| Lead Free | — | Yes |
| Introduction Date | — | August 2017 |
| Lifecycle | — | Obsolete / End of Life (per distributor cross-reference data) |
| CAS 레이턴시 | — | [DATA_NEEDED: CAS latency at DDR4-2400] |