MT40A512M16LY-062E-ATE vs MT40A512M16LY-062E:E Comparación

Comparación detallada lado a lado de MT40A512M16LY-062E-ATE por Micron Technology y MT40A512M16LY-062E:E por Micron Technology. Compare las especificaciones clave, los parámetros eléctricos, el encapsulado, el estado del ciclo de vida, los precios y la disponibilidad para determinar el mejor componente para los requisitos de su diseño.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ Activo
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MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ Activo

Comparación de especificaciones

Parámetro MT40A512M16LY-062E-ATE MT40A512M16LY-062E:E
Marca Micron Technology Micron Technology
Categoría Memory ICs Memory ICs
Estado del ciclo de vida Activo Activo
Estado del stock In Stock In Stock
Precio unitario (USD) $34,10 $34,99
Tipo de memoria DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Density 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
Organización de memoria 512M x 16 x16
Velocidad de datos 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade)
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VPP) 2.5 V —
Encapsulado 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) —
Ball Pitch 0.8 mm —
Temperatura de funcionamiento -40C to +105C (automotive) [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron]
Speed Grade -062E (0.625 ns tCK) —
Tipo de montaje Surface Mount Surface Mount
Estado RoHS Compliant Compliant
On-Die Termination Yes (ODT) Yes (ODT)
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Yes (DM) —
Refresh Mode Auto self-refresh —
Access Time (tRCD/tRP) — 19 ns (per DigiKey listing)
Voltage - Supply (VDD) — 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max
Voltage - VPP — 2.5 V (typical)
Interfaz — Parallel (LVCMOS / SSTL)
Encapsulado / Carcasa — 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm)
Refresh Cycles — 65536
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (data channel)
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes (LPASR)
Asynchronous Reset — Yes

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