MT40A512M16LY-062E-ATE vs MT40A512M16LY-062E:E Comparaison

Comparaison détaillée côte à côte de MT40A512M16LY-062E-ATE par Micron Technology et MT40A512M16LY-062E:E par Micron Technology. Comparez les spécifications clés, les paramètres électriques, le conditionnement, le statut de cycle de vie, les prix et la disponibilité pour déterminer le meilleur composant pour vos exigences de conception.

Micron Technology
MT40A512M16LY-062E-ATE MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE - 8Gb DDR4-3200 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E-ATE ✓ Actif
Micron Technology
MT40A512M16LY-062E:E MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E - 8Gb DDR4-3200 x16 SDRAM | Micron

MT40A512M16LY-062E:E ✓ Actif

Comparaison des spécifications

Paramètre MT40A512M16LY-062E-ATE MT40A512M16LY-062E:E
Marque Micron Technology Micron Technology
Catégorie Memory ICs Memory ICs
Statut du cycle de vie Actif Actif
Statut du stock In Stock In Stock
Prix unitaire (USD) $34,10 $34,99
Type de mémoire DDR4 SDRAM SDRAM - DDR4
Density 8 Gbit 8 Gbit (512M x 16)
Organisation de la mémoire 512M x 16 x16
Débit de données 3200 MT/s (DDR4-3200) 3200 MT/s
Clock Frequency 1.6 GHz 1600 MHz (DDR4-3200, -062E speed grade)
Access Time 19 ns —
Supply Voltage (VDD) 1.2 V —
Supply Voltage (VPP) 2.5 V —
Boîtier 96-ball FBGA (7.5 x 13.5 mm) —
Ball Pitch 0.8 mm —
Température de fonctionnement -40C to +105C (automotive) [DATA_NEEDED: exact operating temp range for -062E:E base part; IT:E variant is -40C to +95C per Micron]
Speed Grade -062E (0.625 ns tCK) —
Type de montage Surface Mount Surface Mount
Statut RoHS Compliant Compliant
On-Die Termination Yes (ODT) Yes (ODT)
ZQ Calibration Yes Yes
Data Mask Yes (DM) —
Refresh Mode Auto self-refresh —
Access Time (tRCD/tRP) — 19 ns (per DigiKey listing)
Voltage - Supply (VDD) — 1.2 V (typical), 1.14 V min / 1.26 V max
Voltage - VPP — 2.5 V (typical)
Interface — Parallel (LVCMOS / SSTL)
Boîtier / Format — 96-TFBGA (7.5 x 13.5 mm)
Refresh Cycles — 65536
Write Leveling — Yes
CRC Function — Yes (data channel)
Data Mask Function — Yes
Auto Precharge — Yes
Auto Self-Refresh — Yes (LPASR)
Asynchronous Reset — Yes

Fiches techniques et ressources

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